Research&Development

R&D

  • home
  • R&D
  • RF devices R&D

RF 소자 R&D

RF devices R&D

큐에스아이의 RF 소자 연구 개발은 인화인듐(Indium Phosphide)이나 갈륨비소(Gallium Arsenide)와 같은 화합물 소재를 기반으로 하여 초고속 동작을 하는 트랜지스터가 적용됩니다. 본 연구 개발을 통해 초고속동작하는 트랜지스터를 이용하여 트랜지스터 단일소자 및 MMIC 제작 서비스가 가능하며 필요시 Chip Dicing 공정 서비스도 함께 제공합니다.

초고주파 및 초저잡음 구현이 가능하기 때문에 6G Infrastructure를 위한 연구 및 개발 영역과 Tera-hertz 이미징과 같은 비통신 분야에도 적합합니다.

RF


RF

큐에스아이 연구 팀은 아래와 같이 기술 솔루션을 연구 개발 및 서비스를 제공합니다.

1
p-HEMT
100㎚ E-mode pHEMT
2
p-HEMT
80㎚ E-mode pHEMT
3
InGaAs HBT (TBD)
500㎚ HBT
close
close
검색 닫기